氧含量与溅射气压对NiO薄膜形貌和结构的影响

作者：曾玉琴; 杨艳; 余忠; 孙科; 朱光伟; 许志勇; 兰中文

来源：磁性材料及器件, 2014, 45(03): 1-20.

• NiO薄膜
• 氧含量
• 溅射气压
• 微观结构
• 形貌
• 择优取向

利用直流反应磁控溅射在O2和Ar混合气氛下,在Si(111)衬底上沉积NiO薄膜,采用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对薄膜晶体结构及形貌进行分析,研究了氧含量和溅射气压对NiO薄膜择优取向和表面形貌的影响。结果表明:低氧含量下,NiO(220)晶面择优生长,薄膜表面为典型的蠕状结构;较高氧含量下,薄膜择优(111)晶面生长,织构呈现有序状态;随着溅射气压的增高,择优取向先变差再变明显,薄膜晶粒先增大后减小。

• 单位
  电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 成都工业学院