ITO/PLZT薄膜湿法刻蚀研究

作者：闻伟; 杨传仁; 张继华; 陈宏伟; 梁鸿秋; 张瑞婷

来源：压电与声光, 2008, (06): 745-746+750.

• 铟锡氧化物(ITO)薄膜
• 锆钛酸铅镧(PLZT)薄膜
• 湿法刻蚀
• 图形化 ITO thin film
• PLZT thin film
• wet-etch
• pattern

介绍了一种锆钛酸铅镧(PLZT)基铟锡氧化物(ITO)薄膜的湿法刻蚀法。用V(HCl)∶V(HNO3)∶V(H2O)=50∶3∶50的混合溶液对ITO进行不同温度的刻蚀试验。通过扫描电子显微镜(SEM)和X-射线能谱仪(EDS)分析表明,在35℃经30 nm/min刻蚀能得到图形边缘质量良好和表面无残留物的ITO图形;在同等条件下刻蚀的PLZT薄膜,刻蚀速率不及ITO的2%,表明该刻蚀方法具有良好的选择性。

• 单位
  电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室