SOI基可调谐微环光滤波器设计与性能测试

作者：袁玉霞; 杨瑞

来源：传感器与微系统, 2022, 41(12): 63-66.

DOI：10.13873/J.1000-9787(2022)12-0063-04

• 绝缘体上硅
• 微环谐振器
• 马赫—曾德尔干涉仪
• 可调谐性

基于绝缘体上硅(SOI)制作了单环与双环滤波器，并且对其滤波特性进行研究，同时分析了光耦合系数对滤波器输出特性的影响。针对倏逝波耦合结构较弱的调谐能力，提出了马赫—曾德尔干涉仪(MZI)耦合器的改进结构，微环腔长均为1 314μm的单环和双环滤波器，对于单双环，当电极功率分别为18～40 mW和21～33 mW时，可实现滤波器从欠耦合到临界耦合的调谐，且双环滤波器的中心波长在直通端电极功率0～21 mW范围移动了1 nm,相当于一个自由频谱宽度。

• 单位
  郑州科技学院