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摘要
分析了金刚石线锯多线切割150 mm SiC晶片的表面形貌及质量，通过测试SiC片Si面和C面的表面粗糙度(Ra),发现C面Ra值约为Si面的2倍。在切割过程中晶片向Si面弯曲，使锯丝侧向磨粒对Si面磨削修整作用更强，从而使晶片Si面更加光滑。此外，通过显微截面法测试了SiC晶片两面的损伤层深度。结果表明，Si面损伤层深度约为7.89μm,明显低于C面的13.8μm,显微镜下观察到截面边缘更加平整。该方法进一步证明了多线切割时晶片向Si面弯曲，使锯丝侧向磨粒对Si面的磨削效果更强，从而造成SiC晶片两面表面形貌和质量存在差异。
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单位中国电子科技集团公司第四十六研究所
