摘要
通过在铜薄膜表面逐次转移石墨烯(G),在铜薄膜和Sn-3.0 Ag-0.5 Cu(SAC)焊料间插入了中间层,利用低温热压键合技术实现高可靠性的Cu-Cu键合,研究了不同厚度的石墨烯作为中间层对键合的影响。在150℃下持续老化后,通过观察微观结构、测量剪切强度以及接触电阻,可知转移2次的石墨烯作为中间层可以有效抑制金属间化合物(IMC)的过度不规则生长。老化72 h后,Cu-2G-SAC键合界面处IMC层的厚度仅为1.01μm,且保持16.7 MPa的剪切强度,高于Cu-SAC键合结构的剪切强度。因此,在不同金属界面上逐次转移石墨烯可以控制界面反应和接触界面IMC过度不规则生长。
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