用于新一代蓝牙BLE系统的22nm CMOS SOI工艺E类功率放大器设计

作者：阮颖

来源：电子技术, 2021, 50(12): 1-3.

• 集成电路设计
• 功率放大器
• BLE
• SOI

阐述22nm CMOS SOI工艺设计一款用于新一代蓝牙BLE5.2系统的E类功率放大器,它采用两级差分结构,由三级反相器级联的缓冲器和Cascode晶体管堆叠结构的功率级构成,有效地防止功率晶体管击穿同时,提高了功率放大器的效率。仿真表明,在2.4～2.5GHz的频率范围内,输出回波损耗S22低于-12.1dB。在-10dBm的输入功率下,功率放大器输出功率为4.9dBm,功率附加效率PAE达到41.5%。

• 单位
  上海电力大学