SiC/C薄膜的制备及其力学性能

作者：王新华; YOSHIDAT

来源：复合材料学报, 2005, (01): 74-78.

DOI：10.13801/j.cnki.fhclxb.2005.01.015

• 薄膜
• SiC/C
• 硬度
• 力学性能 films
• SiC/C
• hardness
• mechanical properties

　以SiC超细粉为原料、采用热等离子体物理气相沉积(TPPVD)技术快速制备出了高质量SiC/C薄膜,最大沉积速度达到225nm/s,高于常规物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD)法两个数量级。用扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜和X射线光电子谱对薄膜的形貌和微结构进行了观察和分析,并用纳牛力学探针测定了薄膜的力学性能。研究结果表明,向等离子体中导入CH4,SiC/C薄膜沉积速度增大,薄膜中C含量增加,薄膜断面呈现柱状结构。薄膜硬度和弹性模量随薄膜中C含量增加而降低,在接触深度为40nm时由纳牛力学探针测得沉积薄膜的最大硬度达到38GPa。

• 单位
  浙江大学; 东京大学