本发明涉及一种改善AlGaN/GaN HEMT器件电学性能的方法,包括在预设的辐照温度、质子注量和质子能量的条件下,对AlGaN/GaN HEMT器件进行质子辐照。本发明实施例采用一定注量和能量的质子对AlGaN/GaN HEMT器件进行辐照,入射的质子会填充器件中存在的固有点缺陷,从而减小缺陷密度,降低缺陷对载流子的捕获,增加电荷密度,减少了栅泄露电流,提高了器件的最大饱和电流和跨导,进而改善了器件的电学性能。
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