制备工艺对多孔Si_3N_4陶瓷介电性能的影响(英文)

作者：李军奇; 周万城; 罗发; 朱振峰; 马建中

来源：硅酸盐学报, 2009, (08): 1443-1446.

DOI：10.14062/j.issn.0454-5648.2009.08.008

• 多孔氮化硅陶瓷
• 成孔剂
• 冰冻–干燥
• 介电性能 porous silicon nitride
• pore-forming agent
• freeze–drying
• dielectric properties

采用添加成孔剂和冰冻–干燥法制备具有不同气孔率(30%～60%)的多孔Si3N4陶瓷,研究了不同制备工艺对多孔Si3N4陶瓷介电性能的影响。结果表明:不同的成型工艺制备出具有不同孔分布的氮化硅多孔陶瓷,添加成孔剂制备的多孔陶瓷具有较大的孔,洞分布在致密的基体上;冰冻–干燥法制备的多孔陶瓷具有复合孔分布。对样品的介电特性的研究表明,随着样品的气孔率增加,其介电常数和介电损耗减小;添加成孔剂制备样品的介电常数小于冰冻–干燥法制备样品,而其介电损耗较大,多孔Si3N4陶瓷的介电常数和介电损耗分别在5.21～2.91和9.6×10–3～2.92×10–3范围内变化。