Cu/SiO_2混合键合技术被认为是实现芯片三维集成和高密度电学互连的理想方案，但由于其需兼顾介质和金属两种材料的键合，目前鲜有自主开发且工艺简单、成本低廉的混合键合方案的报道。文章归纳了现有的晶圆级键合技术，包括直接键合、活化键合以及金属固液互扩散键合，分析了其应用于混合键合技术的可能性。进一步总结了近年来部分Cu/SiO_2混合键合技术的研究进展，从原理上剖析该工艺得以实现的关键，为国内半导体行业占领此高端领域提供一定的参考。
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