高深宽比的TSV镀铜工艺技术研究

作者：魏红军; 谢振民; 雷光宇

来源：电子工业专用设备, 2022, 51(05): 43-46.

• 硅通孔
• 高深宽比
• 镀铜填充

镀铜填充时，形成空洞或缝隙都将导致芯片严重的可靠性问题，从设备能力和电镀药液两个方面分析了对镀铜填充效果的影响，并在孔径10μm、深宽比10∶1的硅通孔内进行工艺验证。结果表明：镀前预湿处理、镀液快速搅拌、电场均匀分布、镀液添加剂的浓度及配比等4个方面对实现硅通孔无缺陷填充起了决定性作用。

• 单位
  中国电子科技集团公司第四十五研究所