G7型铸造多晶硅底部阴影的分析及改善研究

作者:徐云飞; 何亮*; 雷琦; 罗**; 周成; 毛伟
来源:太阳能学报, 2021, 42(11): 46-50.
DOI:10.19912/j.0254-0096.tynxb.2019-1236

摘要

基于硅液相夹杂的裹入模型计算临界长晶速率,分析G7炉型铸造多晶硅锭底部阴影与长晶速率的关系,并探究不同热场对晶锭底部阴影的影响。设计3种不同长晶速率和2种热场的实验,根据红外探伤(IR)测试阴影图、长晶速率曲线及晶体生长界面等试验数据,对晶锭底部阴影进行深入研究。研究表明,硅锭底部阴影是底部长晶速率过快且对流较弱造成,晶锭底部长晶速率在9.82 mm/h以下,晶锭底部无阴影;底部长晶速率在9.82 mm/h以上,晶锭底部出现阴影。对于大热场G7炉,降低晶锭底部长晶速率或改变热场结构提升晶锭底部温度可消除底部阴影。

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