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摘要
对不同偏置下碳化硅VDMOS在总剂量辐射环境中的动态和静态特性进行了研究。比较了三种偏置状态下60Coγ射线辐照对于SiC VDMOS器件静态参数（阈值电压）和动态参数（开关响应）的影响。实验结果表明，在经历一定时间的60Coγ射线辐照过后，器件的各项静态参数发生了不同程度的退化，同时器件的开启延迟略微缩短，关断延迟骤增，总开关损耗增大。γ射线辐照导致器件静态特性退化的同时其动态特性也在改变，但两者退化规律具有一定的差异性。
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单位中国科学院; 中国科学院大学; 中国科学院新疆理化技术研究所
