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摘要
高纯锗探测器在γ谱学研究当中一直被广泛应用。本工作基于蒙特卡罗模拟的方法研究了Clover型高纯锗探测器的add-back性能。模拟了单晶体能谱和γ射线在不同晶体间发生康普顿散射的概率。与实验符合后，从γ射线多重性和γ源到探测器距离两个方面对add-back性能进行了研究。研究表明，在γ源距探测器25 cm的条件下，较高的多重性(M=6)对探测器的add-back因子影响不大，主要体现在低能区域。当γ源与探测器的距离减小时，add-back因子变化显著。特别是，在距离为5 cm和分析。
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