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摘要
研究了激光退火工艺中由于硅片表面图形/颗粒诱生的波纹结构和形成波纹的临界能量,分析了波纹产生的机理,并提出了预防措施。使用原子力显微镜(AFM)观察波纹的形貌,通过俄歇电子能谱(AES)对形成波纹的纳米颗粒进行了分析,结果表明,在硅片表面颗粒周围形成水波状波纹,在氧化层图形边界随着氧化层窗口尺寸由小到大出现从水波状波纹到辐射状波纹的转变。波纹的形成是表面应力、表面散射波和边界效应综合作用的结果。表面图形/颗粒所诱生的源漏区表面波纹会引起器件性能的下降以及晶圆成品率的降低。激光退火前的晶圆制造工艺中应减少表面的颗粒或缺陷的产生,激光退火工艺中尽可能提高表面的光学一致性,避免将SiO2作为硬掩膜。
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