Mg掺杂浓度对射频磁控溅射制备Ga2O3薄膜性质的影响

作者：王晓然; 马艳彬; 段苹; 李如永; 庄碧辉; 崔敏; 原安娟; 邓金祥^*

来源：真空, 2018, 55(06): 68-72.

DOI：10.13385/j.cnki.vacuum.2018.06.15

• 射频磁控溅射
• Mg掺杂Ga2O3薄膜
• Mg掺杂浓度
• 光学带隙

本文使用射频磁控溅射法,采用双靶磁控溅射系统,通过Ga2O3和Mg O两个靶位交替溅射的方法实现不同浓度Mg掺杂氧化镓薄膜的制备。结果发现随着Mg掺杂浓度的增加,薄膜的厚度逐渐减小且薄膜的结晶质量有所下降,光透过率无明显变化,但带隙宽度逐渐增加,可实现Ga2O3薄膜带隙宽度的连续可调,可调范围从4.96eV到5.21eV;光致发光光谱实验结果表明Mg的掺杂导致PL峰值发生蓝移现象,且在473nm附近出现一个新的发光峰。

• 单位
  数理学院; 北京工业大学