SiGe HBT低温敏宽带低噪声放大器设计

作者：魏正华; 叶小兰; 刘卫; 张玲玉

来源：东莞理工学院学报, 2021, 28(05): 25-30.

DOI：10.16002/j.cnki.10090312.2021.05.003

• 宽带电路匹配
• 低噪声放大器
• 低温
• 低温敏特性

采用两级锗硅异质结晶体管(Si Ge HBT)低噪声放大芯片,通过ADS2015进行宽带电路匹配设计了一款频率覆盖超短波到L波段的宽带低噪声放大器(LNA)。仿真显示该LNA工作频率在0.07～2 GHz,增益Gain>30 d B,噪声系数NF <0.78,增益平坦度Gain Flatness <0.2 d B,输入输出回波损耗Return Loss <-10 d B。实测结果显示常温下该LNA测试指标和仿真结果基本一致,233 K低温下该LNA的Gain实测值比常温下测试结果增大1 d B左右,其它指标基本一致,证实了采用Si Ge HBT放大芯片设计的低噪声放大器噪声性能良好且具有低温敏特性。

• 单位
  长沙民政职业技术学院; 长沙环境保护职业技术学院; 电子信息工程学院