科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
本发明涉及半导体器件领域,公开了一种超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法。该SJ-LDMOS的有源区包括横向超结结构和形成在横向超结结构下方的埋区,通过设置埋区与半导体衬底的导电类型不同,从而半导体衬底和埋区可以同时辅助耗尽横向超结结构的N型柱区和P型柱区,补偿了衬底辅助效应造成的N型柱区和P型柱区之间的电荷不平衡,可以获得较高的横向击穿电压。同时,半导体衬底和埋区之间的PN结向半导体衬底的表面和纵向方向各引入了一个高电场峰,可以通过电场调制效应得到更均匀的横向和纵向电场分布,因而可以获得更高的横向和纵向击穿电压。
- 单位
