衬底温度调制生长GZO薄膜的性能研究

作者：童帆; 胡跃辉; 陈义川; 胡克艳; 劳子轩; 帅伟强

来源：中国陶瓷, 2017, 53(01): 20-25.

DOI：10.16521/j.cnki.issn.1001-9642.2017.01.004

• 射频磁控溅射
• GZO薄膜
• 衬底温度调制
• 光电性能

利用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上制备ZnO∶Ga透明导电氧化物薄膜,主要研究了一种类调制掺杂工艺对GZO薄膜的薄膜形貌结构和光电性能的影响。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见-近红外分光光度计(UV-VIS-NIR)和四探针测试仪对GZO薄膜进行表征。结果表明:不同的衬底温度调制下生长的GZO薄膜都具有明显的c轴择优取向,对于衬底温度调制条件下,在150℃/RT条件下的薄膜结晶最好,且在可见近红外波段(4801600 nm)平均透过率达到85.4%左右,薄膜最低方阻达到60Ω/□。

• 单位
  景德镇陶瓷大学; 电子工程学院