典型模拟电路性能退化仿真技术研究

作者：聂国健; 于迪; 常玉春; 刘岩; 杨云; 李欣荣^*

来源：吉林大学学报(信息科学版), 2020, 38(03): 243-249.

DOI：10.19292/j.cnki.jdxxp.2020.03.002

• 模拟电路
• 性能退化
• 可靠性
• 仿真

为解决典型模拟电路在设计阶段可能引入的性能退化问题,通过分析国内外电路虚拟验证技术研究进展,并针对引起模拟电路性能退化的HCI(Hot Carrier Induced)、NBTI(Negative Bias Temperature Instability)、TDDB(Time Dependent Dielectric Breakdoun)等机理模型进行深入研究,开展了性能退化仿真流程模型设计、失效物理模型推导建立及模型参数提取3项关键工作。基于上述关键技术研究,选取典型模拟运算放大器,采用Cadence spectre软件开展了性能退化仿真研究。最终得出器件在25℃下,工作2年和10年后的性能退化情况,验证了该仿真方法的可行性。该结论可在模拟电路设计阶段,为其设计改进工作提供初步支撑。

• 单位
  大连理工大学; 工业和信息化部电子第五研究所