ESD应力下的电阻特性研究

作者：路香香; 罗宏伟; 姚若河

来源：中国电子学会可靠性分会、中国电子学会电子元件分会、中国电子学会半导体与集成技术分会、中国电子学会电子材料分会、广东省电子学会, 中国,四川省,成都市,都江堰市.

• 扩散电阻
• TLP 测试
• 二次击穿

随着集成电路的尺寸越来越小,其对静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)也变得越来越敏感,而电阻在 ESD 保护电路中可以起到隔离和分压的作用．本文主要对 ESD 应力下的扩散电阻的四个区域：线性区,饱和区,负微分电阻区和二次击穿区的模型作了简单的分析,并通过 TLP 的实验对这几个区域进行了对比分析,着重讲述了二次击穿区即热击穿区的电阻特性．

• 单位
  华南理工大学