本发明公开了一种氮化镓肖特基二极管及其制作方法,主要解决现有技术漏电流偏大,击穿电压偏低和关态功耗偏大的问题,其自下而上,包括衬底层(1)、氮化镓层(2)和铝镓氮层(3),铝镓氮层上设有欧姆阴极金属层(6)和钝化介质层(4),钝化介质层表面经过铝镓氮层至氮化镓层顶部贯穿有凹槽,在凹槽底部氮化镓层上形成薄介质层(5),在薄介质层上形成肖特基阳极金属层(7)。本发明提升了氮化镓肖特基二极管的击穿电压,降低了漏电流,减小了器件的关态功耗,可用于汽车电子、电机控制和开关电源。
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