等离子体活化硒对电沉积Cu-In-Ga金属预制层硒化的影响

作者：张超; 敖建平; 姜韬; 孙国忠; 周志强; 孙云

来源：Acta Physica Sinica, 2013, (07): 524-531.

• Cu(In0.7Ga0.3)Se2
• 电沉积
• Cu-In-Ga金属预制层
• 等离子体活化硒 Cu(In0.7Ga0.3 )Se2
• electrodeposition
• Cu-In-Ga metallic precursors
• plasma activation Se source

使用等离子体活化硒源对电沉积制备的Cu-In-Ga金属预制层进行了硒化处理时,发现等离子体功率对Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)晶粒的生长有重要影响,当等离子体功率为75W时,制备出单一Cu(In0.7Ga0.3)Se2相的CIGS薄膜.通过对不同衬底温度的等离子体活化硒源硒化的CIGS薄膜进行了研究与分析,并与普通硒化后的薄膜进行对比,发现高活性硒在低温下会促进Ga-Se二元相的生成,从而有利于Cu(In0.7Ga0.3)Se2单相的生长.对等离子体硒化后的CIGS薄膜进行了电池制备,发现单相CIGS薄膜没有显著提高电池性能.通过优化工艺,所制备的CIGS电池效率达到了9.4%.

• 单位
  南开大学