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摘要
针对大容量NAND flash在空间环境应用时容易由总剂量诱发故障的问题，设计相关实验对3D NAND flash存储器样片进行辐照测试，研究其总剂量效应的发生规律。采用钴60γ射线源作为辐照源，以10 krad(Si)～80 krad(Si)条件进行辐照实验，找到3D NAND flash存储器的编程功能以及擦除功能开始出现故障时对应的总剂量程度，以及读取功能仍然正常的总剂量条件。研究重点关注位于上下边缘的层对总剂量的敏感度，以及由其导致的不同层之间的错误比特数“U”型曲线。围绕试验结果，对不同的辐照场景下主控芯片的设计及应用情况做了详细讨论。
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