一种结构简单的高精确度带隙基准源设计

作者：张泽伟; 宋树祥^*; 蒋品群; 庞中秋

来源：太赫兹科学与电子信息学报, 2020, 18(02): 345-349.

• 带隙基准源
• 互补金属氧化物半导体
• 温度系数
• 电源抑制比

设计了一款快速启动、高稳定性的实用型带隙基准电压源。基准源电路基于110 nm的CMOS标准工艺实现,使用Cadence软件进行仿真。仿真表明,在室温下,电源电压为3.3V时,输出基准电压为1.2 V;在-40℃～85℃范围内温度漂移系数为33 ppm/℃;电路启动时间为0.5μs;电源电压抑制比在低频时达到-61 dB;功耗为0.967 mW;版图面积为50μm×180μm。该电路结构简单,易于集成,可应用于高速、高精确度的数模转换器(DAC)。

• 单位
  广西师范大学; 电子工程学院