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摘要
本发明公开了一种1S1R型相变存储单元结构及其制备方法,依次层叠设置的顶电极层、OTS层、中间电极层、绝缘层、底电极层和衬底；中间电极层与绝缘层的接触面中部位置向中间电极层内凹陷,凹陷处置有相变材料层；绝缘层在相变材料层对应的位置设有贯穿绝缘层的加热电极,加热电极一端连接相变材料层,另一端连接底电极层。优点在于,采用包裹式的中间电极层,通过按照蘑菇型单元热量分布的形状调整相变材料层的直径与高度,使得热量分布更加均匀。增加了相变材料层与中间电极层的接触面积,从而减小与中间电极层接触区域的相变材料的电流密度,避免突变热对该区域的局部编程,提升阻值分布,减小误操作可能,提高提升相变存储单元可靠性。
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