AlN单晶生长研究进展

作者：李娟; 胡小波; 姜守振; 陈秀芳; 李现祥; 王丽; 徐现刚; 王继扬; 蒋民华

来源：人工晶体学报, 2006, (01): 177-182.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2006.01.041

• 氮化铝
• 升华法
• 坩埚材料 aluminum nitride
• PVT
• crucible materials

A lN是一种重要的半导体材料,由于具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等优越的特性,在微电子和光电子领域具有广泛的应用前景。本文综述了国际上A lN单晶生长的研究进展,对其结构特点、生长方法的选择、生长过程中的问题及存在的结构缺陷等方面进行了介绍。

• 单位
  山东大学; 晶体材料国家重点实验室