摘要

采用溶胶凝胶法制备了ZnO:Ga(GZO)透明导电薄膜,并用做GaN基LED的电流扩散层。研究表明,GZO薄膜为多晶薄膜,透光率大于80%,粗糙度为Ra 4.6nm,制备的LED的开启电压为2.4V,并成功的点亮LED芯片。

  • 单位
    硅材料国家重点实验室; 材料科学与工程学院; 新型显示技术及应用集成教育部重点实验室; 浙江大学; 上海大学