AlGaN/GaN异质结肖特基二极管研究进展

作者：康玄武^*; 郑英奎; 王鑫华; 黄森; 魏珂; 吴昊; 孙跃; 赵志波; 刘新宇

来源：电源学报, 2019, 17(03): 44-52.

DOI：10.13234/j.issn.2095-2805.2019.3.44

• 氮化镓(GaN)
• AlGaN/GaN异质结
• 肖特基二极管(SBD)

氮化镓GaN(gallium nitride)作为第三代半导体材料的代表之一,具有临界击穿电场强、耐高温和饱和电子漂移速度高等优点,在电力电子领域有广泛的应用前景。GaN基器件具有击穿电压高、开关频率高、工作结温高、导通电阻低等优点,可以应用在新型高效、大功率的电力电子系统。总结了AlGaN/GaN异质结肖特基二极管SBD(Schottky barrier diode)目前面临的问题以及目前AlGaN/GaN异质结SBD结构、工作原理及结构优化的研究进展。重点从AlGaN/GaN异质结SBD的肖特基新结构和边缘终端结构等角度,介绍了各种优化SBD性能的方法。最后,对器件的未来发展进行了展望。

• 单位
  中国科学院微电子研究所