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库仑阻塞现象及其在纳米电子器件中的应用
作者:柳福提; 程晓洪
来源:
大学物理
, 2013, (07): 33-36+43.
DOI:10.16854/j.cnki.1000-0712.2013.07.007
隧穿结
库仑阻塞
单电子隧穿
单电子晶体管 tunnel junction
coulomb blockade
single electron tunneling
single electron transistor
摘要
对单隧穿结和双隧穿结中的库仑阻塞现象进行了介绍,分析了其中电子隧穿的物理过程;然后探讨在单电子盒中如何利用库仑阻塞控制单电子隧穿的物理原理;最后介绍库仑阻塞效应在单电子晶体管中的具体应用及其发展前景.
单位
宜宾学院
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