InP基HEMT栅槽设计和研究

作者：武利翻; 苗瑞霞

来源：集成电路应用, 2018, 35(08): 10-12.

DOI：10.19339/j.issn.1674-2583.2018.08.003

• InP HEMT
• 化学湿法腐蚀
• 腐蚀时间
• 表面粗糙度
• AFM

In P基HEMT器件制作中,栅槽刻蚀工艺是形成良好的肖特基接触栅的关键工艺。针对这一问题,研究了用丁二酸和H2O2混合液作为In P基HEMT器件栅槽腐蚀液,确定栅槽完全腐蚀并获得较好的表面平整度的最优时间。首先用单片In Ga As和单片In Al As材料进行单步腐蚀,最终得到腐蚀液对这两种材料的腐蚀速度;其次对In P基HEMT器件外延材料进行光刻,对光刻后图形进行20 s,40 s,60 s的腐蚀。同时采用光学显微镜观察腐蚀图形,利用电流监控法确定腐蚀形成HEMT器件的栅槽腐蚀时间,并通过原子力显微镜(AFM)进行表面平整度观察,最终得到60 s的腐蚀时间的特性较好,进而确定为栅槽形成的最优腐蚀时间是60 s。

• 单位
  西安邮电大学; 电子工程学院