二维V型AlP半导体及其可调直接带隙

作者：毛彩霞; 张玉萍; 薛丽; 杨旭鑫; 胡永红^*; 吴涛^*

来源：华中师范大学学报(自然科学版), 2021, 55(04): 547-553.

DOI：10.19603/j.cnki.1000-1190.2021.04.007

• 应力
• 电场
• 电子能带结构
• 稳定性
• 第一性原理计算

一种新型单分子层V型结构磷化铝(V-AlP)二维半导体材料被理论预测,且通过第一性原理计算,它的稳定性和电学性质也得到详细考察.在外加应力和电场作用下,其电子结构被有效地调控.计算结果表明它有很好的稳定性,且具有宽的直接带隙(2.6 eV).在双轴应力下,其带隙可以在(1～2.6 eV)范围内调控.在外加张力的作用下,其直接带隙可以转变成间接带隙.在不同的应力作用下,单层V-AlP的能带结构变化趋势明显不同,因此其表现出对外加应力的各向异性.当外加电场从5 V·nm-1变为10 V·nm-1时,单层V-AlP的带隙可以从0 eV线性调控到2.6 eV.研究结果表明应力和电场都可以有效地改变单层V-AlP的电子能带结构,因此这种二维V-AlP在纳米电子器件中有着广阔的应用前景.

• 单位
  湖北科技学院; 咸宁职业技术学院