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摘要
本发明公开了一种渐变In含量InGaN子量子阱的RTD二极管。包括：GaN外延层、n十GaN集电极欧姆接触层、第一GaN隔离层,第一InAlN势垒层、GaN主量子阱层、第二InAlN势垒层、渐变In组分的InGaN子量子阱、第二GaN隔离层、n十GaN发射极欧姆接触层、圆形电极依次从下至上分布在衬底上方,位于n十GaN集电极欧姆接触层上方且不与第一GaN隔离层接触的环形电极,位于n十GaN集电极欧姆接触层上方的AlN钝化层。本发明在RTD中引入渐变In组分InGaN子量子阱和AlN材料钝化层,增大峰值电流,提高输出功率,减小器件功耗。
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