ONO反熔丝器件制备工艺及其特性研究

作者：刘国柱; 张明; 郑若成; 徐静; 王印权; 洪根深

来源：材料导报, 2014, S2: 128-135.

• ONO
• 反熔丝
• 编程电阻
• 击穿电压

基于1.0μm ONO(SiO2-Si3N4-SiO2)反熔丝CMOS工艺,主要研究了反熔丝孔腐蚀掩蔽层对ONO反熔丝器件特性的影响。研究发现,采用非掺杂多晶硅作为反熔丝孔腐蚀的掩蔽层、低压氧化方式生长隧道氧化层、LPCVD制备富N的Si3N4层、高温热氧化方式生长顶层氧化层等工艺制备ONO反熔丝单元,其熔丝具有良好的开关态特性:半编程电压条件下漏电低(约1.0×10-2 A)、击穿电压离散性小(均匀性小于5%)、编程电阻低(编程电流大于2mA时,其熔丝编程电阻小于300Ω)等,同时,在常温25℃、工作电压5V条件下,该结构0.61.5μm孔径的反熔丝单元寿命均达10年以上。

• 单位
  中国电子科技集团公司第五十八研究所