稀土掺杂NiCrSi高阻靶材制备及镀膜性能研究

作者：鲁飞; 刘树峰; 李慧; 刘小鱼; 李静雅; 孙良成^*

来源：稀土, 2019, 40(04): 87-94.

DOI：10.16533/J.CNKI.15-1099/TF.201904011

• NiCrSi高阻靶材
• 稀土
• 热压烧结
• 金属膜电阻器

采用真空热压烧结法制备稀土掺杂NiCrSi高阻合金靶材。利用X射线衍射仪、金相显微镜、扫描电镜、EDS能谱仪等表征手段测试分析靶材物相组成、显微组织及微区元素分布。同时将所制备靶材溅射沉积金属膜电阻器,研究稀土元素掺入种类对电阻器阻值稳定性的影响。结果表明,稀土掺杂NiCrSi高阻靶材由基体相CrSi2和少量的CrSi、Ni3Si相混合而成。靶材外观平整无裂纹,组织致密无孔隙,相对密度均在96%以上;晶粒尺寸约为20μm,大小分布均匀。掺入La、Ce、Pr、Nd后,靶材组织中Zr析出相减少,Zr元素偏聚分布得到显著改善。溅射沉积的金属膜电阻器电阻温度系数小于±25×10-6/℃;与未添加稀土元素的NiCrSi电阻器相比,加入Pr后,电阻器电阻温度系数在高低温区差值降至22×10-6/℃左右,变化幅度小,阻值稳定性高;加入Nd后,电阻温度系数差值变化幅度大,阻值稳定性较差。

• 单位
  包头稀土研究院