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摘要
采用磁控溅射法制备锰铜薄膜,溅射和真空蒸发法制备镱薄膜。对热处理前后薄膜的电学性能、微观形貌和结构进行了表征,并采用轻气炮和对顶砧装置对薄膜传感器进行了压阻性能测试,结果表明热处理后薄膜的压阻系数有很大提高。SEM和XRD的分析表明,压阻系数的提高是由于热处理后薄膜晶粒长大、缺陷减少、电阻率下降所致。敏感薄膜的电阻率与传感器的灵敏度直接相关。热处理后,薄膜压阻计的灵敏度已接近箔式传感器的水平,热处理是提高薄膜压阻计灵敏度的有效手段。
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单位光电信息学院; 电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室
