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摘要
通过低温旋涂法在氧化铟锡(ITO)玻璃衬底上制备低缺陷密度、高结晶质量的MAPbBr3钙钛矿薄膜，采用真空热蒸法蒸镀Au上电极，制备出三明治结构的MAPbBr3钙钛矿忆阻器。对制备的忆阻器在黑暗环境下进行电学测试，结果表明忆阻器具有基础的开关特性，循环次数可以保持在10～15次，且具有良好的非易失特性与数据保持特性。最后对该忆阻器进行了紫外光辅助复位过程的电学测试，分析实验结果得出，紫外光辅助促使忆阻器复位过程的电压明显降低，且直流扫描循环次数增加到了30次以上，实现了器件的低功耗关断以及稳定开关多次的功能，紫外光辅助可提升MAPbBr3忆阻器的非易失阻变性能。
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