高压LDMOS击穿电压退化机理研究

作者：金锋; 徐向明; 宁开明; 钱文生; 王惠惠; 邓彤; 王鹏飞; 张卫

来源：固体电子学研究与进展, 2015, 35(04): 371-376.

• 高压横向扩散金属氧化物半导体
• 击穿电压退化
• 栅致漏极漏电
• 可靠性

以700V超高压LDMOS器件为例,对击穿电压的退化机理进行了物理解析及失效机理的理论分析,发现栅致漏极漏电(Gate induced drain leakage,GIDL)应力会诱导击穿电压退化,提出了多晶硅栅下场氧鸟嘴处电场强度是影响LDMOS击穿电压可靠性的重要因素。通过TCAD仿真进行确认,提出器件在版图和工艺方面的优化方案,最终通过流片验证了失效机理的正确性。硅片级和封装级的可靠性评估结果显示,优化后的器件击穿电压退化的问题得到解决并满足应用的要求。

• 单位
  专用集成电路与系统国家重点实验室; 复旦大学