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摘要
本发明公开了一种应变型氧化镓MOSFET器件。其包括衬底(1)、n型Ga2O3导电沟道层(2)、重掺杂源区(3)、重掺杂漏区(4)、源电极(5)、漏电极(6)、绝缘栅介质(7)和栅电极(8),该重掺杂源区和重掺杂漏区,均采用厚度小于500nm,掺杂浓度大于1×1019cm-3的n+-GaN材料,且两区域间隔小于100nm。n型Ga2O3导电沟道层、重掺杂源区和重掺杂漏区位于衬底上；源电极和漏电极分别位于重掺杂源区和重掺杂漏区之上；绝缘栅介质位于n型Ga2O3导电沟道层之上,栅电极位于绝缘栅介质之上,本发明提高了导电沟道中电子的迁移率,改善了器件的输出特性,可用于制作高压、高频、大功率器件。
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