AlGaN/GaN HEMT器件的低频噪声测试方法研究

作者：高蕾; 迟雷; 彭浩; 黄杰

来源：电子质量, 2021, (10): 126-130.

• AlGaN/GaN HEMT器件
• 低频噪声测试
• 可靠性

AlGaN/GaN HEMT器件的低频噪声比常规电参数对缺陷更为敏感,缺陷信息更加丰富,且具有不可恢复的特点,与器件的质量和可靠性密切相关。该文设计了AlGaN/GaN HEMT器件低频噪声测试的偏置电路、建立了一套低频噪声测试系统,对不同测试端口和偏置条件下的低频噪声水平进行了测试,通过对比分析得到了低频噪声测试结果与电压、电流之间的关系,并对测试结果进行了误差分析,对AlGaN/GaN HEMT器件的可靠性评价有重要意义。