锥形植入脑深部电极射频热凝毁损治疗局灶性皮质发育不良1例

作者：韩彦明; 沈云娟; 史哲; 兰正波; 刘亚丽; 王天成; 张新定^*

来源：中国神经精神疾病杂志, 2021, 47(04): 237-239.

• 射频热凝
• 局灶性皮质发育不良
• 锥形电极植入

<正>局灶性皮质发育不良(focal cortical dysplasia,FCD)是引起药物难治性癫痫的常见原因,在癫痫手术中约占1/2。文献研究表明传统开颅术治疗后癫痫缓解率可达85%,效果良好[1-2]。但毗邻功能区且位置深在的FCD,传统开颅术并发症较多、手术风险高,且该部位往往需要植入脑深部电极来鉴别功能区与致痫区的关系,因此立体定向脑电图(stereoelectroencephalography,SEEG)引导的射频热凝术可能成为外科干预的最佳选择,然而该技术仅部分毁损致痫灶,治疗效果较开颅手术低。如何优化常规电极植入方案使得植入电极全面覆盖致痫灶从而提高射频热凝效果,目前相关研究国内外鲜有报告。文中对1例位于中央后沟与顶内沟交界区的FCD采用沿沟底依据病灶形态"锥形植入"的方法来优化植入方案,以达到彻底毁损致痫灶来提高疗效,现报告如下。

• 单位
  兰州大学第二医院