一种基于拓扑绝缘体/二碲化钼异质结的光电晶体管及其制备方法和应用

作者：高伟; 岳倩; 蓝志彬; 但智颖; 李京波

来源：2021-09-08, 中国, CN202111049580.X.

本发明属于多功能光电晶体管技术领域,公开了一种基于拓扑绝缘体/二碲化钼异质结的光电晶体管及其制备方法和应用。所述异质结基光电晶体管是在SiO-(2)/Si衬底上转移制得的拓扑绝缘体纳米片,然后将2H-MoTe-(2)纳米片转移至拓扑绝缘体纳米片上,拓扑绝缘体纳米片与2H-MoTe-(2)纳米片重叠部分形成垂直范德瓦尔斯异质结,分别在2H-MoTe-(2)纳米片和拓扑绝缘体纳米片上蒸镀金属粘结层/Au电极,在保护气体中150～300℃进行退火处理制得。本发明的异质结实现独特的载流子隧穿输运机制,并在405～1550nm宽谱波段范围有良好的光电响应性能。可用于逻辑回路器件或可见-近红外光响应的光电器件领域中。

• 单位
  华南师范大学