摘要

研究ZnWO4薄膜在DSSCs电池中的光电特性,利用浸渍-提拉法制备ZnWO4薄膜,利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、紫外可见吸收光谱(UV-vis)、电化学阻抗谱(EIS)和电流电压(I-V)等表征制备的ZnWO4薄膜的结构,借助BatteryMon软件测试其光电性能。表征结果显示,利用浸渍-提拉法制备的ZnWO4薄膜结晶性能良好,薄膜颗粒均匀,带隙为2.85 eV,是直接带隙半导体。浸渍-提拉法制备ZnWO4薄膜组装的染料敏化太阳电池(DSSCs)短路电流密度达到0.15 mA/cm2,开路电压达到625 mV,电池的光电转换效率为0.037%

  • 单位
    铁道警察学院; 郑州工程技术学院