基于隧穿场效应晶体管的半导体生物传感器及其制备方法

作者：李聪; 郭嘉敏; 庄奕琪; 闫志蕊; 刘伟峰; 李振荣; 汤华莲

来源：2019-03-24, 中国, ZL201910224882.2.

本发明公开了一种基于隧穿场效应晶体管的半导体生物传感器,主要解决常规半导体生物传感器无法辨别中性生物分子,检测敏感精度低的问题,其包括：SOI衬底(1)和互连金属(9)；SOI衬底的两侧设有隔离槽(2),SOI衬底的上表面设有源区(3)、沟道区(4)和漏区(6)；沟道区的表面设有栅介质层(5)；栅介质层的上表面设有栅极金属(7)；栅介质层的左侧设有生物填层(8)。其中,源区采用锗材料；沟道区和栅介质层均采用L形结构；沟道区采用非均匀掺杂,水平沟道区(41)用本征掺杂,垂直沟道区(42)用浓度为1017～1018cm-3的N型掺杂。本发明能检测电中性的生物分子,提高检测敏感精度,降低实现成本。

• 单位
  西安电子科技大学