负电容场效应晶体管研究进展

作者：周家伟; 徐礼磊; 葛凡

来源：电子世界, 2020, (23): 27-28.

DOI：10.19353/j.cnki.dzsj.2020.23.012

<正>在传统场效应晶体管的发展中,由于亚阈值摆幅(SS)极限的存在(60 mV/dec),在超大规模集成电路(ULSI)中,电源电压的缩放受到物理障碍的限制,如何降低电路的功耗成为很多人研究的重点。为了解决这些问题,提出了铁电负电容场效应晶体管(Fe-NCFET),通过内部电压放大机制来降低SS,从而有效地降低了ULSI的供电电压,显著降低了功耗。本文介绍了负电容效应的研究背景和意义,

• 单位
  南京邮电大学