含有Al组分阶变AlGaN过渡层的Si基AlGaN/GaN HEMT

作者：倪金玉; 董逊; 周建军; 孔岑; 李忠辉; 李亮; 彭大青; 张东国; 陆海燕; 耿习娇

来源：固体电子学研究与进展, 2011, (06): 527-531.

• 硅衬底
• 铝镓氮/氮化镓
• 高电子迁移率晶体管
• 过渡层

采用一个AlN缓冲层和两个Al组分阶变的AlGaN过渡层作为中间层,在76.2mm Si衬底上外延生长出1.7μm厚无裂纹AlGaN/GaN异质结材料,利用原子力显微镜、X射线衍射、Hall效应测量和CV测量等手段对材料的结构特性和电学性能进行了表征。材料表面平整光滑,晶体质量和电学性能良好,2DEG面密度为1.12×1013cm-2,迁移率为1 208cm2/(V.s)。由该材料研制的栅长为1μm的AlGaN/GaN HEMT器件,电流增益截止频率fT达到10.4GHz,这些结果表明组分阶变AlGaN过渡层技术可用于实现高性能Si基GaN HEMT。