本文详细介绍了氮化镓（GaN）电源芯片漏极下降时间（TF）参数的测试电路和老炼试验电路设计。以纳微（Navitas）半导体公司生产的NV6117电源芯片为例，通过对比NV6117电源芯片老炼试验前后TF参数的变化，对氮化镓电源芯片的可靠性水平进行量化评估，保证了应用电路的可靠性。
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