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摘要
钢基体（如10#钢）外壳在混合集成电路中大量使用，该外壳生产时，会接触或产生大量氢气。研究表明，密封电子器件中的氢会导致砷化镓、氮化镓等半导体芯片失效，影响器件长期可靠性。本文研究了电子封装用钢基体外壳内部的氢含量，分析了当前典型制备工艺下氢含量的产生原因，对比了不同镀种外壳的氢含量差异，并讨论了产生差异的原因。针对烧结及镀覆工序展开除氢试验，对经过低温/高温激发的封盖密封外壳，进行了氢含量测试，并获得了氢含量规律。研究结果为外壳制备提供了建议，也为外壳后续使用提供了依据。
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单位合肥圣达电子科技实业有限公司; 中国电子科技集团公司
