HVPE法制备碳掺杂半绝缘氮化镓晶圆片

作者：赖云; 罗晓菊; 王现英^*

来源：广东化工, 2021, 48(09): 13-15.

• 氢化物气向外延
• 氮化镓
• 晶体生长
• 碳掺杂
• 晶圆片

利用氢化物气相外延法（HVPE）生长,以甲烷为掺杂源,成功制备获得四英寸自支撑半绝缘氮化镓（GaN）晶圆片。所使用掺杂气体为浓度为5%的甲烷气体,混合于N2载气中。所制备晶圆片厚度可达800μm以上,表面无裂纹,表明粗糙度在0.6 nm以下。（002）和（102）晶面X射线衍射摇摆曲线的半峰宽均小于100 arcsec,普遍在为40～60 arcsec,曲率半径可达20 m及以上,位错密度低于106/cm2,测得电阻率大于109?-cm。

• 单位
  上海理工大学; 材料科学与工程学院