一种自偏置电流CMOS基准源的分析与设计

作者：张超; 罗萍; 杨永豪

来源：电子科技, 2006, (5): 31-33.

DOI：10.3969/j.issn.1007-7820.2006.05.009

• 自偏置电流
• 带隙基准电压
• PTAT基准电流
• 运算放大器
• 温度系数

采用了一种结构新颖的CMOS基准源结构,该电路结构利用带隙基准结构产生的高精度PTAT电流作为内部OP AMP的自偏置电流,从而省去了PTAT电流产生电路,使芯片面积更小,基准电流更加接近理想的PTAT电流.该电路结构产生的带隙基准电压温漂达到18.8PPM/℃,PTAT电流几乎与电源电压无关.

• 单位
  电子科技大学